耗盡型GaN(Depletion-Mode,D-mode)，在內(nèi)部集成串聯(lián)了一個(gè)低壓增強(qiáng)型N溝道MOS實(shí)現(xiàn)常關(guān)，通過控制串聯(lián)的N溝道MOS來實(shí)現(xiàn)開關(guān)，行業(yè)內(nèi)一般采用的是級(jí)聯(lián)(Cascode)結(jié)構(gòu)，也稱為共源共柵型；Cascode結(jié)構(gòu)其驅(qū)動(dòng)兼容傳統(tǒng)N溝道MOS 控制器，相比于增強(qiáng)型氮化鎵，無需對(duì)電路重新設(shè)計(jì)，同時(shí)保留了氮化鎵低開關(guān)損耗以及低壓N溝道MOS的低柵極電荷等優(yōu)勢。對(duì)于可高達(dá)1 MHz開關(guān)頻率的操作，Cascode結(jié)構(gòu)的GaN最為適合。