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平面結(jié)構(gòu)硅MOS,具有可靠性高,成本低,應(yīng)用廣泛等特點。但是當客戶需要更低內(nèi)阻(比如小于300毫歐),更低開關(guān)損耗時,可以選擇超結(jié)硅MOS,甚至是碳化硅MOS,氮化鎵MOS等第三代半導(dǎo)體器件